众所周知,现在在一般的硅芯片上,较先进的工艺选用的都是12寸晶圆,只需一些非常老练的芯片,才运用8寸、6寸、4寸晶圆。
可以说,芯片工艺越先进,硅晶圆尺度越大,由于这样糟蹋少,成本低。但硅晶圆尺度越大,难度就越大,技能方面的要求就越高。
不过,尽管一般的硅基晶圆已开展到了12寸,但一些特别的资料的晶圆,现在许多还在4寸、6寸、8寸的阶段。
比方薄膜铌酸锂晶圆,现在半导体资料强国日本,以及美国,其完成的技能水平,也就处于6寸的水平。
薄膜铌酸锂晶圆是什么晶圆?它其实是光电芯片的资料之一,集成光电收发功用,在滤波器、光通讯、量子通讯、航空航天等范畴,有重要作用。
但铌酸锂资料脆性大,大尺度制备非常困难,所以日本、美国才只需6寸水平,职业界一直在研讨8寸晶圆的制备水平,看谁抢先。
而近来,全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在湖北下线,阐明我国在这项技能上更抢先了。
此项效果运用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆,为现在全球硅基化合物光电集成最先进的技能,依照说法,接下来会很快完成工业商用。
最近几年来,跟着5G、大数据、AI等的开展,光电芯片得到了极大的重视,而铌酸锂由于其资料特性被认为是最理想的光子集成资料。
所以这次我国全球量产8寸铌酸锂晶圆,也代表着接下来,我国有望根据薄膜铌酸锂的大规模光电集成技能,引领职业革新。在光量子核算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等范畴显示其使用价值。
当然,现在8寸铌酸锂晶圆还仅仅从实验室下线,接下来要大规模量产,还需要一点时刻,咱们还需要慎重达观。但一起这件事背面,这也代表着,只需咱们尽力,在芯片工业上,必定会有各个点层面的的技能打破,而这些新的打破,会以点带面,构成一个全体,终究助力我国芯片工业腾飞,你觉得呢?