半导体巨子英飞凌科技近来宣告，公司已成功研宣布全球首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技能。

  与现有的200毫米晶圆比较，300毫米晶圆技能意味着在单个晶圆上能够制作更多的芯片，来提升了出产功率和规模经济。

  这一技能进步不仅仅能够添加每晶圆的芯片产值，到达2.3倍，一起也有助于下降出产所带来的本钱，使得氮化镓技能愈加经济高效。

  氮化镓功率半导体因其在功率、尺度和分量方面的优势，在工业、轿车、消费电子、核算和通讯使用中得到快速选用。

  据悉，英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举办的电子展上展现其300毫米GaN技能。

  公司已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制作了300毫米GaN晶圆，并方案根据市场需求逐渐扩展产能。

  英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表明：“这一明显的成功是咱们立异实力和全球团队专心作业的成果，旨在展现咱们作为氮化镓和电源体系立异领导者的位置。这项技能打破将改动职业游戏规则，使咱们也能够开释氮化镓的悉数潜力。”