现在，我国集成电路开展趋势更加敏捷，晶圆制作成为了不可或缺的一部分，而我国投入很多研制工业的就属晶圆代工。详细来说，晶圆代工便是在硅晶圆上制作电路与电子组件，这个过程为整个半导体工业链中技能最杂乱，且资金投入最多的范畴。

　　以处理器为例，其所需处理过程可达数百道，且各类加工机台先进又宝贵，动辄数千万美元起跳。而一个老练的晶圆代工厂其设备投入占总设备比重在 70%～80% 之间。

　　从晶圆制作来看，首要工序流程可分为氧化光刻—刻蚀—抛光—离子植入—堆积—金属化—测验。

　　氧化：其意图在于生成二氧化硅薄膜。用硅作为半导体原材料的重要因素之一便是硅简略生长出二氧化硅膜层，这样在半导体上结合一层绝缘材料，就可用做掺杂阻挡层、外表绝缘层，及组件中的绝缘部分。

　　气化炉商场首要以世界大厂为主，如 Themco、Centrotherm Thermal Solutions 等。而我国也有北方华创供给相关设备，现在中芯、华力微电子、长江存储等厂商已选用。此外，中电科 48 所、青岛旭光等在氧化炉方面也获得重大开展。商场预估氧化炉今明两年我国需求共约 20 亿美元。

　　光刻：为整个晶圆代工流程中最重要的工序之一。其原理是在晶圆片外表掩盖一层具有高度光敏感性光阻剂，再用光线透过掩模照射在晶圆片外表，被光线照射到的光阻剂会产生反响，终究到达电路图的移转。

　　现在全球光刻机龙头为 ASML，此外，德国 SUSS、日本尼康、美国 Ultratech 等也具有较强实力。我国方面则有不少光刻机制作厂，如上海微电子、中电科 45 所、中电科 48 所等，但首要技能在 65nm～28nm 间，与世界大厂实力相差一大段。商场预估今明两年我国光刻机需求别离达 38 亿美元与 51 亿美元。

　　刻蚀：便是经过光阻剂露出区域来去掉晶圆最表层的工艺。首要分为两大类：湿式刻蚀和干式刻蚀。简略区别，湿式刻蚀限制在 2 微米以上图形尺度，而干式刻蚀则用在精密的先进电路中。

　　刻蚀机现在世界上首要的供货商为运用材料、Lam Research 等。我国方面技能有渐渐追上的趋势，行将登录科创板的中微半导体，其自主研制的 5nm 等离子体刻蚀机经台积电(2330-TW) 验证，将用于全球首条 5nm 制程出产线nm 技能有所突破。商场预估今明两年我国刻蚀机需求别离达 15 亿美元与 20 亿美元。

　　抛光：能够使晶圆外表到达全面性的平整化，以利后续薄膜堆积工序。美国运用材料、Rtec 等均为世界上首要供货商，我国则有中电科配备、盛美半导体等。但陆厂的产品才刚打入 8 寸晶圆厂中，12 寸的相关设备还在研制，显着与世界大厂有实力上的距离。商场估量今明两年我国抛光机需求将达 3.77 亿美元与 5.11 亿美元。

　　离子植入：其是用来操控半导体中杂质量的要害程序，对半导体外表邻近区域进行掺杂技能。长处在于杂质量的准确操控，杂质散布的再重整，及低温下操作。

　　离子植入机首要的供厂商为 AMAT，我国部份只要中电科电子配备公司能供给。商场估量今明两年我国离子植入机需求可达 5 亿美元与 7 亿美元。

　　堆积：PVD 堆积为一种物理制程，此技能一般运用氩等惰性气体，藉由在高真空中将氩离子以加快碰击溅镀靶材后，将靶材原子一个个溅击出来，使被溅击 出来的原料堆积在晶圆外表。

　　薄膜堆积设备首要的供货商包含运用材料、Vaportech、Lam Research、ASM、 Tokki 等。而我国相关设备制作厂有北方华创、沈阳拓荆等。北方华创是我国薄膜堆积设备龙头，现在技能已到达 14nm。商场估量今明两年我国薄膜堆积设备需求可达 15 亿美元与 20 亿美元。

　　测验：在晶圆完结制作之前，会有一道晶圆中测工序。在测验过程中，会检测每一个芯片的电路功用。

　　晶圆中测检测设备包含 CDSEM（扫描电镜）、AOI（主动光学检测机）等。我国在这范畴仅仅起步阶段，该工业首要由世界大厂所操纵，如 KLA-Tencor、运用材料、Hitachi、Rudolph、Camtek 等。

　　从上述可看出，各晶圆制作设备中以光刻机、刻蚀机和薄膜堆积设备的产量最大，出产难度也最高。除了刻蚀机，中微半导体顺畅成为台积电供给名单的一员外，光刻机与薄膜堆积等等的半导体设备，我国厂技能离世界大厂还有一段距离，且短期仍不易追近。

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