Intel表明，此前的工艺节点命名规矩始于1997年，都是以实践的栅极宽度来界说(xxnm)，可是近些年来，工艺命名和栅极宽度现已不匹配，因而Intel启用了新的命名方法，便于工业、客户、顾客了解。

  Intel 4工艺全面引进EUV极紫外光刻，能效比再提高大约20％，下一年下半年投产，2023年产品上市。

  首发消费级产品是Meteor Lake，已在本年第二季度完结核算单元的六篇，数据中心产品则是Granite Rapids。

  今日的会议上，Intel也初次展现了Meteor Lake的测验晶圆，除了新工艺还有Foveros 3D立体封装。

  这一代，也将是Intel消费级处理器第一次抛弃完好的单颗芯片，引进不同工艺、不同IP的模块，凭借新的封装技能，整合在一起。

  再往后，Intel 3工艺逐渐优化FinFET、提高EUV，能效比持续提高大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。

  之后便是后纳米年代了，工艺命名又改了新的规矩，首先是Intel 20A，具有两项革命性技能，RibbonFET便是相似三星的GAA盘绕栅极晶体管，PoerVia则创始撤销晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也能够优化信号传输。2024年投产。

  传统晶圆(左)、Powervia晶圆(右)供电和信号走线比照：图片上方对应晶圆前侧