首要为韩美日三国所占有，我国的三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫、福建晋华近期纷繁开端装置机台估计本年下半年投产存储芯片，这将有望打破韩美日独占存储芯片的局势。

  存储芯片首要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash商场占有率前五名分别为三星东芝、西部数据、美光、SK海力士，商场占有率分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%；在DRAM商场占有率前三名分别为三星、SK海力士、美光，商场占有率分别为45%、28%、21%。

  由上可见，全球存储芯片一哥无疑是三星，其在NAND flash和DRAM商场均占有优势的商场占有率，而按国家来说韩国是全球存储芯片的龙头，具有三星和SK海力士两大存储芯片企业。

  我国是全球最大制作国，对存储芯片有巨大需求，我国收购的存储芯片占全球约两成份额，近两年全球存储芯片价格继续上涨对我国产生了巨大影响，导致本来就赢利菲薄的职业饱尝其苦，要打破这种局势开展自己的存储芯片无疑是最好的方法，正是在这种布景下，我国开端活跃开展自己的存储芯片工业。

  长江存储、合肥长鑫、福建晋华担起了这个重担，长江存储首要开展NAND flash，合肥长鑫和福建晋华首要开展DRAM，三家企业在上一年底完成了厂房封顶，近期开端连续搬入机台等出产设备，按方案它们本年下半年将开端试产存储芯片。

  当然我国的存储芯片企业在投产后还需求在技能方面追逐韩美日等存储芯片企业，长江存储当下预备投产的为32层NAND flash而韩国三星上一年就开端大规模投产64层NAND flash，长江存储期望在未来两三年完成64层NAND flash的技能打破，将技能间隔缩短到两年内。

  合肥长鑫、福建晋华方案投产DRAM，韩国三星当下已开端选用18nm工艺出产DRAM，并正研制更先进的出产的根本工艺，合肥长鑫和福建晋华在投产后估计在工艺方面较这些存储芯片巨子还有很大的间隔，在正式投产后还将面临着良率问题等，需求时刻。

  值得注意的是，北京在DRAM技能上取得了打破，其也与合肥市工业出资控股集团达成了协作协议，方案出资180亿元，选用19nm工艺出产存储芯片，估计本年底前投产，不过它表明期望本年能完成产品良率到达10%，这说明出产存储芯片面临着不少的技能难题，仅仅良率方面便是一个相当大的难题。

  关于我国巨大的制作业来说，即便我国存储芯片企业初期在技能方面稍为落后，可是这儿对低端存储芯片仍然有激烈需求，这为我国存储芯片公司能够供给了生计开展机会，它们总有赶上韩美日存储芯片企业的一天，我国的许多工业不便是从低端做起，从无到有，从有再到强的开展过程么？

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