】在 AI 风行的当下，数据规划爆发式添加，存储芯片作为数据要害承载者价值上扬。存储芯片产品品类很多，其盈余情况成为业界焦点，为此需先对产品品类细分。 存储芯片按功用、读取数据方法及数据存储原理，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 断电后数据丢掉，用于暂时存储，代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 断电仍能长时间存数据，适用于存储程序代码和用户数据，代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。从全球看，存储芯片商场以 DRAM 和 NAND Flash 为中心，二者商场占有率超 90%，NOR Flash 占比约 3%，其他类型约 2%。 DRAM 即动态随机存取存储器，是常见体系内存，需守时改写。按产品分类，DRAM 首要有 DDR、LPDDR、GDDR 及新式存储 HBM。DDR 适用于高功能核算设备，LPDDR 合适移动电子设备，GDDR 专为数据密集型使用规划，HBM 在带宽、功耗等方面优势显着。从商场看，DRAM 分干流和利基型，干流玩家为三星、美光和海力士，中国大陆头部公司有开展，利基型玩家涣散。 Flash 首要分 NOR Flash 和 NAND Flash。NAND Flash 对错挥发性存储技能，优势很多，按技能类型分有 SLC、MLC、TLC 和 QLC，按产品使用分，NAND Flash 颗粒用于固态硬盘等。全球 NAND Flash 厂商会集，竞赛格式安稳。NOR Flash 有本身特色，虽有缺陷但难以筛选，使用领域广泛，竞赛格式相对会集。 DRAM 产品中，DDR4、DDR5 涨势显着，HBM 最为迅猛。2024 年 Q1DRAM 工业干流产品合约价上扬，带动营收添加，Q2 接连添加。DDR 不同系列本年上半年提价，DDR3 因供给削减和需求添加提价，华邦方案跟进。DDR4 和 DDR5 是提价主力，LPDDR 和 GDDR 受影响价格继续上涨。 NAND Flash 产品中，SSD 接连四季度提价。2024 年 Q1NAND Flash 量价齐扬，工业进入上行周期，合约价上涨。SSD 提价显着，企业级 SSD 二季度涨幅高，消费级 SSD 也提价，eMMC/UFS 估计提价较温文。Nor Flash 产品上半年试探性提价，中容量涨幅大。 DRAM、NANDFlash 和 NOR Flash 盈余才能受多种要素影响，本年上半年 HBM 盈余才能最强，因其需求量开端上涨和供给有限，价格继续上涨，存储三巨子供给严重。DDR5 也有优势，功能功耗优，商场需求量开端上涨，产品升级且价格继续上涨。 国内存储厂商参加出产的存储芯片工业首要为 DRAM 和 NAND Flash，本年在需求推进下，职业景气量攀升。上半年，A股 存储芯片赛道上市公司业绩全体高添加，多家公司表现出色。跟着新式技能开展，存储芯片需求继续添加，高功能产品有开展空间，国产公司面对机会应战。